Dienvidkorejas elektronikas kompānija "Samsung Electronics" radījusi pasaulē pirmo divu gigabaitu DDR (double-data-rate) DRAM atmiņas mikroshēmu.
Jaunā mikroshēma izgatavota, izmantojot 80 nanometru tehnoloģiju. Līdz šim plaši izplatīts bija uzskats, ka tik augstas ietilpības atmiņas mikroshēmas ir iespējams izgatavot vienīgi, izmantojot 65 nanometru vai mazāka nanometru skaita tehnoloģiju. "Šī attīstība liecina, ka pusvadītāju ietilpības palielināšana ir iespējama, arī uzlabojot konstrukciju un datu apmaiņas tehnoloģiju, nevis tikai mikroprocesora tehnoloģiju," žurnālistiem sacīja "Samsung Electronics" pusvadītāju nodaļas prezidents Hvangs Čangju. Viņš sacīja, ka jauno mikroshēmu izdevies radīt, apvienojot triju dimensiju tranzistoru tehnoloģiju un modernu sistēmas arhitektūru.
