Samsung Electronics ir paziņojis, ka sāk ražot industrijā pirmās 20 nanometru (nm) kategorijas NAND mikroshēmas, kas paredzētas izmantošanai Secure Digital (SD) atmiņas kartēs un iebūvētās atmiņas risinājumos.
Plānots, ka 32 gigabitu (Gb) MLC NAND atmiņas moduļu ieviešana paplašinās kompānijas atmiņas karšu risinājumu klāstu, kas paredzēts viedtelefoniem, hi-end IT risinājumiem un augstas veiktspējas atmiņas kartēm.
Jaunajam atmiņas modulim piemīt par 50 procentiem augstāks produktivitātes līmenis nekā 30nm kategorijas MLC NAND izstrādājumam. Ierakstīšanas ātrums 20nm kategorijas astoņu vai vairāk gigabaitu (GB) ietilpības SD atmiņas kartei ir par 30 procentiem augstāks nekā 30nm kategorijas NAND atmiņas modulim, līdz ar to nodrošinot 10. ātruma kategorijas reitingu (nolasīšanas ātrums 20MB/sek, ierakstīšanas ātrums – 10MB/sek). Pielietojot revolucionāras apstrādes, arhitektūras un kontrolieru tehnoloģijas, Samsung ir spējis nodrošināt arī darbības stabilitātes līmeni, kas pielīdzināms 30nm kategorijas NAND izstrādājumiem.
Samsung Electronics pirmo 32Gb NAND izstrādājumu ražošanu ar 30nm kategorijas apstrādes tehnoloģijām sāka 2009. gada martā. Tagad kompānija jau piedāvā patērētājiem SD atmiņas karšu paraugus, kas ir veidoti ar 20nm kategorijas 32Gb NAND Atmiņas kartes, kas balstītas uz 20nm kategorijas tehnoloģijām, būs pieejamas no 4GB līdz pat 64GB ietilpībai.
Savlaicīgais augstas veiktspējas NAND izstrādājumu jaunievedums palīdzēs labāk atbalstīt pastāvīgi augošās atmiņas prasības augstas ietilpības viedtelefoniem, hi-end IT risinājumiem un augstas veiktspējas atmiņas kartēm.
